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運用：醫(yī)療設備光學平臺

• 吸附硅片后平面度≤5um 

• 升溫時間:20℃到55℃時間≤30s 

• 降溫時間:55℃到 20℃時間≤55s 

• 吸附芯片后數字壓力表讀數升降溫過程<-85Kpa

• 未吸附芯片數字壓力表讀數>-10Kpa